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        韩根全,男,汉族,1979年生,中国科学院博士毕业,在读博士期间,韩根全主要做了硅锗超高真空CVD设备的设计和搭建、硅锗材料生长、硅锗量子级联激光器的能带设计。 他所设计的硅锗量子级联激光器能带结构被广泛引用。在博士后器件,根全主要从事微电子器件的设计和制作,例如遂穿场效应晶体管(Tunneling Field-effect Transistor, TFET)和高迁移率场效应晶体管(Metal-oxide Semiconductor Field-effect Transistor, MOSFET)。
   他设计和制作了很多种结构的遂川场效应晶体管,例如PNPN结构和锗源的结构。锗源隧穿场效应晶体管,阈值摆幅49 mV/decade。他还做了场效应晶体管的可靠性分析等研究。
   最近一年,韩根全领导一个小组从事高迁移率MOS器件的设计和制作,例如锗锡和铟镓砷器件。他领导的小组制作了世界上第一只锗锡的p沟道MOSFET器件,空穴有效迁移率达到430 cm2/Vs. 这一结果在世界顶级微电子器件会议IEEE International Electron Device Meeting(IEDM) 2011上面发表。随后,韩根全领导的小组又制作了世界上第一只n沟道的MOSFET器件,这个结果会在微电子另一个顶级会议IEEE 2012 Symposium on VLSI Technology(VLSI)上报道。在做GeSn nMOSFET的过程中,发现了很多新的现象和结果,例如低温(400 °C)形成n+/p锗锡二极管。 韩根全领导的小组利用锗锡 pMOSFET和铟镓砷nMOSFET实现了高性能的 CMOS结构。这个结果也被IEEE 2012 Symposium on VLSI Technology接受。除了上述的微电子器件,韩根全正在研究的课题包括锗锡红外光子器件的研究,这是非常前沿的课题。发表论文30篇,其中SCI/SSCI 15篇,EI 15篇.            

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